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    華為哈勃投資天域半導體:發力第三代半導體碳化硅

    2021-07-06 08:57 快科技

    導讀:目前已引進三臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備,生產技術達到國際先進水平。

    除了投資“芯片之母”EDA企業,企查查工商資料顯示,華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司,后者注冊資本也從9027萬元增加到9770萬元,增幅8%。

    據悉,東莞市天域半導體成立于2009年,位于松山湖高新技術產業園區,是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。

    2010年公司與中科院半導體所合作成立“碳化硅技術研究院”,目前已引進三臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備,生產技術達到國際先進水平。

    至于深圳哈勃科技,華為技術有限公司則出自69%、華為終端出資30%、哈勃科技出資1%,今年4月剛剛成立。

    所謂第三代半導體,主要是二十一世紀以來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導體材料,即高溫半導體材料。第一代半導體材料主要是硅(Si)、鍺元素(Ge),第二代主要是化合物半導體材料。